ae-mic/AE-162D 用于超高速芯片電阻測(cè)試特征？

更新時(shí)間：2023-12-06

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AE-162D 用于超高速芯片電阻測(cè)試

非常適合 D投入力度、F、G、J創新為先、K 級(jí)、片式科普活動、MELF持續向好、

徑向和軸向電阻器的分選機(jī)和編帶機(jī)。

由于模擬部分與數(shù)字部分的隔離提高了抗噪性充足，因此穩(wěn)定性高

兼容極小芯片（低功耗測(cè)量）

超高速0.7msec.（典型值）

熱電動(dòng)勢(shì)抵消測(cè)量帶來(lái)高精度和穩(wěn)定性

通過(guò)每個(gè)量程的測(cè)量值積分時(shí)間設(shè)置功能進展情況，實(shí)現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測(cè)量。

%測(cè)量：±99.99% [5mΩ ~ 109MΩ]

絕對(duì)測(cè)量：0.00mΩ~200.00MΩ

接觸檢查：測(cè)量前/測(cè)量后/關(guān)閉可選

RS-232C接口標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（GP-IB可選）

打印機(jī)輸出標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（Centronics兼容）

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置值傳輸功能：（相同的設(shè)置數(shù)據(jù)可以傳輸?shù)搅硪慌_(tái)AE-162D以進(jìn)行自動(dòng)設(shè)置綠色化發展。）

標(biāo)準(zhǔn)配備測(cè)量電流/測(cè)量電壓異常檢查電路

測(cè)量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23℃±5℃）至關重要，校準(zhǔn)后180天[校準(zhǔn)后1年：1.5倍]

測(cè)量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	測(cè)量電流	測(cè)量精度^*
測(cè)量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	測(cè)量電流	慢的	快速地
100毫歐	5mΩ～100mΩ	100毫安	±0.02%±2a±2d以內(nèi)	±0.03%±3a±2d±[2/(1+n)]d以內(nèi)
1Ω	100.1mΩ～1Ω	100毫安	±0.02%±a±1d以內(nèi)	±0.02%±a±2d±[2/(1+n)]d以內(nèi)
10Ω	1.001Ω～10Ω	50毫安	±0.02%±a±1d以內(nèi)	±0.02%±a±2d±[2/(1+n)]d以內(nèi)
100Ω	10.01Ω～100Ω	10毫安	±0.02%±1d以內(nèi)	±0.02%±2d±[1/(1+n)]d以內(nèi)
1kΩ	100.1Ω～1kΩ	5毫安
10kΩ	1.001kΩ～10kΩ	0.5毫安
100kΩ	10.01kΩ～100kΩ	50μA
1兆歐	100.1kΩ～1MΩ	5μA		±0.05%±2d±[1/(1+n)]d以內(nèi)
10兆歐	1.001MΩ～10MΩ	0.5μA	±0.03%±1d以內(nèi)	±0.2%±4d±[1/(1+n)]d以內(nèi)
100兆歐	10.01MΩ～109MΩ	0.05μA	±0.1%±2d以內(nèi)	────

* d = 位數(shù)，n = 積分時(shí)間（毫秒）用上了，% 測(cè)量：α =（100/標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定值 mΩ）x 0.01%提升行動，絕對(duì)值測(cè)量：α = 0（加上 ±1d） *
屏蔽時(shí)的完整精度

測(cè)量時(shí)間	外部啟動(dòng)		自由奔跑
	慢的	快速地	慢的	快速地
	約18毫秒～400毫秒	約0.7毫秒～400毫秒	約30次/秒～約2次/秒	約 60 次/秒至約 2 次/秒