半導(dǎo)體行業(yè)未來的發(fā)展趨勢:
一、技術(shù)發(fā)展趨勢
制程工藝持續(xù)演進(jìn)
摩爾定律的延伸與挑戰(zhàn):盡管摩爾定律的推進(jìn)面臨物理極限的挑戰(zhàn),但半導(dǎo)體行業(yè)仍在努力延續(xù)其發(fā)展軌跡提升。制程工藝不斷向更小的納米級(jí)別邁進(jìn)的方法,從目前的先進(jìn)制程如5納米提供有力支撐、3納米相結合,未來有望向2納米及以下發(fā)展了解情況。例如,英特爾廣泛應用、臺(tái)積電和三星等芯片制造巨的頭都在積極投入研發(fā)關註度,以突破技術(shù)瓶頸,實(shí)現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成度哪些領域。
極紫外光刻技術(shù)(EUV)的深化應(yīng)用:EUV技術(shù)是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制程的關(guān)鍵敢於挑戰,它能夠提供更精確的光刻分辨率,從而在硅片上制造出更小建立和完善、更復(fù)雜的電路圖案提供了遵循。隨著EUV技術(shù)的成熟和成本降低,其應(yīng)用范圍將進(jìn)一步擴(kuò)大大型,推動(dòng)芯片制造向更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)發(fā)展服務效率。
新型架構(gòu)與設(shè)計(jì)方法
異構(gòu)集成:將不同功能、不同制程的芯片集成在一起重要意義,形成一個(gè)高性能的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)統籌發展。例如,將CPU體系、GPU生產製造、AI加速器、存儲(chǔ)器等模塊集成在同一封裝內(nèi)攜手共進,通過先進(jìn)的封裝技術(shù)如2.5D封裝共同、3D封裝等實(shí)現(xiàn)高速互連和協(xié)同工作。這種異構(gòu)集成方式可以充分發(fā)揮各模塊的優(yōu)勢大部分,滿足復(fù)雜應(yīng)用場景的需求強大的功能,如數(shù)據(jù)中心、人工智能等領(lǐng)域解決方案。
存算一體架構(gòu):傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)中優勢,計(jì)算和存儲(chǔ)是分離的,數(shù)據(jù)在兩者之間傳輸會(huì)帶來延遲和功耗問題增產。存算一體架構(gòu)將計(jì)算單元和存儲(chǔ)單元緊密結(jié)合便利性,甚至集成在同一芯片上,使數(shù)據(jù)處理更加高效高產,能夠顯著降低延遲和功耗信息化技術,提高系統(tǒng)的整體性能。這一架構(gòu)在物聯(lián)網(wǎng)良好、邊緣計(jì)算等對(duì)低功耗逐步顯現、高效率有要求的領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
新材料的探索與應(yīng)用
碳基半導(dǎo)體:碳基材料如碳納米管引領、石墨烯等具有優(yōu)異的電學(xué)性能和熱學(xué)性能自動化裝置,有望成為未來半導(dǎo)體材料的重要發(fā)展方向示範。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,碳基半導(dǎo)體具有更高的載流子遷移率有很大提升空間、更低的功耗和更好的散熱性能運行好。例如,碳納米管晶體管在高頻可能性更大、高速信號(hào)處理方面具有獨(dú)的特優(yōu)勢部署安排,有望在5G通信、毫米波雷達(dá)等領(lǐng)域得到應(yīng)用技術。
寬禁帶半導(dǎo)體材料:以氮化鎵(GaN)推廣開來、碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場強(qiáng)技術研究、高熱導(dǎo)率重要的、高電子飽和速度等特點(diǎn)。這些材料在高功率姿勢、高電壓、高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色首要任務,如電動(dòng)汽車的功率電子器件綠色化、5G基站的射頻功率放大器、新能源汽車的充電樁等發展。隨著制造工藝的成熟和成本的降低保持穩定,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用范圍將不斷擴(kuò)大。
二面向、應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢
人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)
專用芯片的崛起:隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展支撐作用,對(duì)芯片的計(jì)算能力、能效比和專用性提出了更高的要求建設項目。專用的人工智能芯片如GPU(圖形處理單元)最為突出、FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)、ASIC(專用集成電路)等將得到更廣泛的應(yīng)用自動化。例如提升,英偉達(dá)的GPU在深度學(xué)習(xí)訓(xùn)練和推理任務(wù)中表現(xiàn)出色,成為人工智能領(lǐng)域的主流計(jì)算平臺(tái)之一不折不扣;谷歌的TPU(張量處理單元)則針對(duì)其TensorFlow框架進(jìn)行了深度優(yōu)化支撐能力,提高了人工智能應(yīng)用的運(yùn)行效率。
邊緣計(jì)算中的應(yīng)用:人工智能不僅在云端數(shù)據(jù)中心有大量應(yīng)用高效利用,在邊緣設(shè)備上也有廣闊的發(fā)展空間特征更加明顯。隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的普及,越來越多的智能設(shè)備需要在本地進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和決策講理論,以降低延遲和網(wǎng)絡(luò)帶寬需求的可能性。因此奮戰不懈,面向邊緣計(jì)算的人工智能芯片將成為未來的發(fā)展重點(diǎn),這些芯片需要具備低功耗措施、高性能大大縮短、小尺寸等特點(diǎn),能夠滿足智能家居緊密相關、智能安防更默契了、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等場景的需求。
5G通信與下一代網(wǎng)絡(luò)
5G芯片的持續(xù)升級(jí):5G通信技術(shù)的普及推動(dòng)了對(duì)5G芯片的需求培訓。5G芯片需要支持更高的頻段不合理波動、更復(fù)雜的調(diào)制解調(diào)技術(shù)以及多天線技術(shù)等,以實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸和低延遲通信重要工具。未來積極拓展新的領域,5G芯片將不斷優(yōu)化性能,提高集成度更優質,降低成本相對開放,以滿足智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備脫穎而出、基站等不同應(yīng)用場景的需求拓展應用。
6G技術(shù)的前瞻布局:全球科技巨的頭和研究機(jī)構(gòu)已經(jīng)開始著手6G技術(shù)的研究和開發(fā)。6G預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率結構、更低的延遲以及更廣泛的連接能力管理,這將對(duì)半導(dǎo)體芯片提出更高的要求。例如能力建設,6G可能需要使用太赫茲頻段進(jìn)行通信戰略布局,這就需要研發(fā)新型的射頻芯片和天線技術(shù),以支持更高的頻率和更復(fù)雜的信號(hào)處理表現明顯更佳。
汽車電子與自動(dòng)駕駛
汽車芯片需求增長:隨著汽車的智能化和電動(dòng)化發(fā)展狀態,汽車對(duì)半導(dǎo)體芯片的需求呈爆發(fā)式增長。汽車芯片涵蓋了從發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元穩定發展、車身電子控制到自動(dòng)駕駛系統(tǒng)基石之一、車聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。例如增持能力,自動(dòng)駕駛汽車需要高性能的傳感器芯片共同努力、圖像處理芯片、決策芯片等追求卓越,以實(shí)現(xiàn)環(huán)境感知逐漸完善、路徑規(guī)劃和車輛控制等功能。
功能安全與可靠性要求提高:汽車芯片的可靠性直接關(guān)系到行車安全合理需求,因此功能安全標(biāo)準(zhǔn)如ISO 26262在汽車芯片設(shè)計(jì)和制造中變得至關(guān)重要是目前主流。半導(dǎo)體企業(yè)需要在芯片設(shè)計(jì)階段就充分考慮功能安全要求充分發揮,采用冗余設(shè)計(jì)、故障檢測與診斷等技術(shù)充分發揮,確保汽車芯片在各種工況下都能穩(wěn)定可靠地工作選擇適用。
物聯(lián)網(wǎng)與智能家居
低功耗芯片的廣泛應(yīng)用:物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備通常需要在有限的電池容量下長時(shí)間工作,因此低功耗芯片是物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的關(guān)鍵需求設計。未來業務指導,半導(dǎo)體企業(yè)將不斷優(yōu)化芯片的功耗管理技術(shù),采用先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)方法和制造工藝就此掀開,開發(fā)出更節(jié)能的芯片產(chǎn)品長足發展。例如,通過動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)穩步前行、深度睡眠模式等技術(shù)結構不合理,降低芯片在不同工作狀態(tài)下的功耗。
傳感器芯片的融合與創(chuàng)新:物聯(lián)網(wǎng)的核心是感知逐步改善,傳感器芯片作為物聯(lián)網(wǎng)的“感官器官"意見征詢,將在未來得到更多的創(chuàng)新和發(fā)展。傳感器芯片將朝著多功能融合自動化裝置、高精度示範、高靈敏度、小型化等方向發(fā)展高質量。例如,集成多種傳感器功能(如溫度激發創作、濕度前景、壓力、氣體等)的芯片將能夠?qū)崿F(xiàn)更全面的環(huán)境感知增幅最大,為智能家居共享應用、智能農(nóng)業(yè)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域提供更豐富的數(shù)據(jù)支持標準。
三示範推廣、產(chǎn)業(yè)格局發(fā)展趨勢
全球競爭與合作加劇
地緣政治影響下的產(chǎn)業(yè)競爭:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球科技競爭的核心領(lǐng)域之一,地緣政治因素對(duì)其發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響即將展開。各國政府紛紛出臺(tái)政策支持本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展大幅增加,如美國的《芯片與科學(xué)法案》、歐盟的《歐洲芯片法案》等傳承,旨在提高本國在全球半導(dǎo)體市場的競爭力等特點,減少對(duì)外部供應(yīng)鏈的依賴。這導(dǎo)致全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭格局更加復(fù)雜多種,同時(shí)也促使各國企業(yè)加強(qiáng)合作與聯(lián)盟將進一步,以應(yīng)對(duì)共同的挑戰(zhàn)充分發揮。
跨國合作與技術(shù)交流:盡管存在競爭,但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球化特性決定了跨國合作和技術(shù)交流仍然是未來的重要趨勢成就。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋了芯片設(shè)計(jì)重要方式、制造、封裝測試等多個(gè)環(huán)節(jié)系統,不同國家和地區(qū)在不同環(huán)節(jié)具有各自的優(yōu)勢非常重要。例如,美國在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域處于領(lǐng)的先地位提升,韓國和中國臺(tái)灣地區(qū)在芯片制造方面具有強(qiáng)大的實(shí)力高品質,而東南亞地區(qū)則在封裝測試領(lǐng)域有較好的基礎(chǔ)。通過跨國合作支撐能力,各國企業(yè)可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢互補(bǔ)資源優勢,共同推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步。
產(chǎn)業(yè)鏈整合與垂直整合趨勢
產(chǎn)業(yè)鏈上下游的整合:為了提高競爭力和降低成本特征更加明顯,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)之間的整合將加速估算。例如,芯片設(shè)計(jì)企業(yè)可能會(huì)與制造企業(yè)建立更緊密的合作關(guān)系方便,甚至通過并購等方式實(shí)現(xiàn)垂直整合基礎上,以減少中間環(huán)節(jié)的成本和時(shí)間延遲。同時(shí)應用領域,封裝測試企業(yè)也可能通過與芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)合作保持競爭優勢,提供一站式服務(wù),提升產(chǎn)業(yè)鏈的整體效率發展機遇。
系統(tǒng)級(jí)解決方案提供商的崛起:未來長效機製,半導(dǎo)體企業(yè)將不僅僅局限于單一的芯片產(chǎn)品,而是向系統(tǒng)級(jí)解決方案提供商轉(zhuǎn)型全技術方案。通過整合芯片分享、軟件、系統(tǒng)集成等多方面的能力信息化,為客戶提供一站式的解決方案方式之一,滿足客戶在不同應(yīng)用場景下的多樣化需求。例如新型儲能,英特爾不僅提供高性能的處理器芯片創新能力,還通過收購和自主研發(fā),推出了包括芯片組領域、固態(tài)硬盤溝通機製、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等在內(nèi)的系統(tǒng)級(jí)解決方案,以增強(qiáng)其在數(shù)據(jù)中心市場的競爭力。
新興市場的崛起與機(jī)遇
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展:中國作為全的球的最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場領先水平,近年來在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面取得了顯著的進(jìn)步。中國政府出臺(tái)了一系列政策支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,包括資金扶持戰略布局、稅收優(yōu)惠事關全面、人才培養(yǎng)等。國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在芯片設(shè)計(jì)狀態、制造工藝技術節能、設(shè)備材料等領(lǐng)域不斷取得突破,逐漸縮小與國的際的先的進(jìn)水平的差距廣泛認同。未來國際要求,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持快速增長的態(tài)勢,有望在全球半導(dǎo)體市場中占據(jù)更重要的地位鍛造。
印度等新興市場的潛力:除了中國重要部署,印度等新興市場也在積極布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。印度政府計(jì)劃投資數(shù)十億美元建設(shè)半導(dǎo)體制造工廠工具,吸引全球半導(dǎo)體企業(yè)到印度投資設(shè)廠智慧與合力。雖然目前印度在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)相對(duì)薄弱,但其龐大的人口紅利和不斷增長的市場需求為其未來發(fā)展提供了巨大的潛力重要的角色。未來開放要求,印度有望成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者之一。