日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計

產品型號：CS-620F
更新時間：2024-08-28

簡要描述：日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F
在 3D NAND 制程中，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅擴大，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層多樣性。在該制程中，通過控制化學藥液的濃度和溫度新格局，可以獲得期望的刻蝕速率明顯。成熟型號很難測量高溫化學藥液，但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量顯示。使用吸收光譜進行連續(xù)測量創新為先，與其他方法相比，需要的維護和耗材更少科普活動。

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產品詳情

品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	環(huán)保,化工,能源,電子/電池,綜合

日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F

在 3D NAND 制程中創新延展，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層長期間。在該制程中基本情況，通過控制化學藥液的濃度和溫度，可以獲得期望的刻蝕速率高端化。成熟型號很難測量高溫化學藥液力量，但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量。使用吸收光譜進行連續(xù)測量不負眾望，與其他方法相比高效流通，需要的維護和耗材更少。

主要特征：

可測量高達 92% 的高濃度磷酸

無需冷卻機制和冷卻時間精準調控。

無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸（140 至 170℃）功能，可直接測量。

樣品使用PFA接觸解決，以降低污染風險預期。

采用每半年一次的背景校正周期，有助于顯著減少機臺停機時間集成技術。

每3秒更新一次測量數據就能壓製，有助于更快速使用濃度反饋進行控制

日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F

在 3D NAND 制程中更合理，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅適應能力，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中各方面，通過控制化學藥液的濃度和溫度防控，可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學藥液適應性，但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量堅實基礎。使用吸收光譜進行連續(xù)測量稍有不慎，與其他方法相比，需要的維護和耗材更少等地。

主要特征：

可測量高達 92% 的高濃度磷酸

無需冷卻機制和冷卻時間最為顯著。

無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸（140 至 170℃），可直接測量規定。

樣品使用PFA接觸環境，以降低污染風險。

采用每半年一次的背景校正周期高質量，有助于顯著減少機臺停機時間相對簡便。

每3秒更新一次測量數據，有助于更快速使用濃度反饋進行控制

日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計